问
怎样做好机房电磁屏蔽，选择屏蔽材料要注意什么问题？
答
很多企业在选择屏蔽机房的屏蔽材料时候，常常无所适从，因为也不了解，不知道选什么好，导致花了很多冤枉钱却没有买到屏蔽效能好的材料，屏蔽材料往往决定着一个屏蔽机房的优劣，本文解析怎样做好机房电磁屏蔽，在选择决定使用什么屏蔽材料时，要注意什么问题？
电磁屏蔽是利用导电材料或铁磁材料制成的部件对大容量汽轮发电机定子铁心端部进行屏蔽，以降低由定子绕组端部漏磁在结构件中引起的附加损耗与局部发热的措施，用屏蔽体将元部件、电路、组合件、电缆或整个系统的干扰源包围起来，防止干扰电磁场向外扩散，用屏蔽体将接收电路、设备或系统包围起来，防止它们受到外界电磁场的影响。
常选择有较高的电导率和磁导率的导体作为屏蔽物的材料，因为高导电性材料在电磁波的作用下将产生较大的感应电流。这些电流按照楞次定律将削弱电磁波的透入，采用的金属网孔愈密，直到采用整体的金属壳，屏蔽的效果愈好，但所费材料愈多，高导磁性的材料可以引导磁力线较多地通过这些材料，而减少被屏蔽区域中的磁力线，屏蔽物通常是接地的，以免积累电荷的影响。
电磁波向大块金属透入时将不断衰减，直到衰减为零。衰减的程度随着材料的电导率、磁导率及电磁波频率的增加而加大。屏蔽的要求较高时往往采用多层屏蔽。例如有时采用铸铁、坡莫合金、电解铜3种材料制成多层屏蔽，以满足导电、导磁等要求。
但是实现完全的屏蔽是很难办到的，因为被屏蔽的区域与其余区域之间往往仍需要有电路的连接，引线与引线、引线与外壳之间总存在着绝缘间隙，仍然为电磁波提供通道。即使对于完全封闭的金属壳，在频率极低的外部电磁场作用下，理论上内部的磁通密度并不为零。
电磁场在导电介质中传播时，其场量（E和H）的振幅随距离的增加而按指数规律衰减。从能量的观点看，电磁波在导电介质中传播时有能量损耗，因此，表现为场量振幅的减小。导体表面的场量最大，愈深入导体内部，场量愈小。这种现象也称为趋肤效应。利用趋肤效应可以阻止高频电磁波透入良导体而作成电磁屏蔽装置。它比静电、静磁屏蔽更具有普遍意义。
选择屏蔽材料时要注意下面几个问题
（1）材料的导电性和导磁性越好，屏蔽效能越高，但实际的金属材料不可能兼顾这两个方面，例如铜的导电性很好，但是导磁性很差;铁的导磁性很好，但是导电性较差。应该使用什么材料，根据具体屏蔽主要依赖反射损耗、还是吸收损耗来决定是侧重导电性还是导磁性；
（2）频率较低的时候，吸收损耗很小，反射损耗是屏蔽效能的主要机理，要尽量提高反射损耗；
（3）反射损耗与辐射源的特性有关，对于电场辐射源，反射损耗很大，对于磁场辐射源，反射损耗很小。因此，对于磁场辐射源的屏蔽主要依靠材料的吸收损耗，应该选用磁导率较高的材料做屏蔽材料。
（4）反射损耗与屏蔽体到辐射源的距离有关，对于电场辐射源，距离越近，则反射损耗越大，对于磁场辐射源，距离越近，则反射损耗越小，正确判断辐射源的性质，决定它应该靠近屏蔽体，还是原理屏蔽体，是结构设计的一个重要内容。
（5）频率较高时，吸收损耗是主要的屏蔽机理，这时与辐射源是电场辐射源还是磁场辐射源关系不大。
（6）电场波是最容易屏蔽的，平面波其次，磁场波是最难屏蔽的，尤其是(1KHz以下)低频磁场，很难屏蔽，对于低频磁场，要采用高导磁性材料，甚至采用高导电性材料和高导磁性材料复合起来的材料。
电磁屏蔽计算公式为:
R=20lg(ZW/ZS)(dB)电磁屏蔽
SE=100-20lgL-20lgf+20lg[1+2.3lg(L/H)](dB)
一般除了低频磁场外，大部分金属材料可以提供1电磁屏蔽00dB以上的屏蔽效能，但在实际中，常见的情况是金属做成的屏蔽体，并没有这么高的屏蔽效能，甚至几乎没有屏蔽效能，这是因为许多设计人员没有了解电磁屏蔽的关键。
（1）同一种屏蔽材料，对于不同的电磁波，屏蔽效能使不同的，对电场波的屏蔽效能最高，对磁场波的屏蔽效能最低，也就是说，电场波最容易屏蔽，磁场波最难屏蔽。
（2）屏蔽电场波时，使用导电性好的材料，屏蔽磁场波时，使用导磁性好的材料。
在保护的空间内，当采用屏蔽电缆时其屏蔽层应至少两端并在防雷区交界处做等电位连接，当系统要求只在一端做等电位连接时，应采用双层屏蔽，引入到远动机房的非屏蔽线缆应敷设在金属管道内，实现导电贯通，并连接到共用接地体上，所选用的金属管道最好采用铁管。
若L≥λ/2,SE=0(dB)
1、机房电磁电磁屏蔽的产生与危害
SE=48+20lgZC-20lgL·f+20lg[1+2.3lg(L/H)]
电磁屏蔽是解决电磁兼容问题的重电磁屏蔽要手段之一，大部分电磁兼容问题都可以通过电磁屏蔽来解决，用电磁屏蔽的方法来解决电磁干扰问题的最大好处是不会影响电路的正常工作，因此不需要对电路做任何修改。
式中，Zw=电磁波的波阻抗，Zs=屏蔽材料的特性阻抗。
在机房的四周(静电地板下面)用3X35的紫铜带绕机房四周一圈,并且与接地线紧固连接。
式中:Zc=辐射源电路的阻电磁屏蔽属网格做为屏蔽层,用金属网格罩住窗户。
（3）一般情况下，材料的导电性和导磁性越好，屏蔽效能越高;
根据机房实际情况设计了微孔防尘屏蔽天花板,并采用配套的轻钢龙骨.设计具有质轻、防火、防潮、吸音、防尘等性能,不但可以很好屏蔽电磁的干扰,而且可以配合防眩光灯盘不会产生眩光。
等电位连接与地网电磁屏蔽电磁干扰的绿色安全空间：SE=20lg(E1/E2)(dB)
布设机房等电位汇流排与地网式中各量：L=缝隙的长度(mm)，H=缝隙的宽电磁屏蔽度(mm)，f=入射电磁波的频率(MHz)。
怎样做好机房电磁屏蔽
想做好一个优质的机房电磁屏蔽不是那么简单是，需要精确的计算，根据计算得出的结果去实施，在工程中实用的表征材料屏蔽效能的公式为:SE=A+R(dB)，用这个定义式只电磁屏蔽能测试屏蔽材料的屏蔽效能，而无法确定应该使用什么材料做屏蔽体，要确定使用什么材料制造屏蔽体，需要知道材料的屏蔽效能与材料的什么特性参数有关。
（1）线路屏蔽
对于一个厚度为0材料上的孔洞，在远场区中，最坏情况下(造成最大泄漏的极化方向)的屏蔽效能(实际情况下屏蔽效能可能会更大一些)计算公式为：
（2）天花板墙面的屏蔽处理
计算机在使用过程中能在元器件表面积聚大量的静电电荷.最典型的就是显示器在使用过后用手去触摸显示屏幕就会发生剧烈的静电放电现象，这就是显示器屏幕上的电荷与我们人体上所带异号电荷发生中和时所产生的静电放电现象，至于静电放电的定义，这里就不再叙述,有兴趣的读者可以自行查阅资料，由于静电放电过程是电位、电流随机瞬间变化的电磁辐射，所以，不管是放电能量较小的电晕放电,还是放电能量较大的火花式放电，都可以产生电磁辐射.而我们在前面已经提到计算机本身包含有大量的高电磁灵敏度的电路以及元器件，所以，在使用过程中如果遇到静电放电现象(ESP)，出现的后果是不可预测的。
静电放电现象对计算机的危害可分为硬性损伤和软性损伤，硬性损伤就是指由于ESP过于强烈而导致的如显卡、CPU、内存等电磁灵敏度很高的元器件被击穿，从而无法正常工作甚至彻底电磁屏蔽报废，静电放电所造成的硬性损伤的破坏程度主要取决于静电放电的能量及元器件的静电敏感度，也和危害源与敏感器件之间的能量耦合方式，相互位置有关，软性损伤则是指由于静电放电时产生的电磁干扰(其电磁脉冲频谱可达Mhz~Ghz)造成的存储器内部存储错误、比特数位移位，从而产生如死机、非法操作、文件丢失、硬盘坏道产生等隐性错误，相对于硬性损伤,它更难被发现。
其次，机箱上总是会有电缆穿电磁屏蔽出(入)，至少会有一条电源电缆，这些电缆会极大地危害屏蔽体，使屏蔽体的屏蔽效能降低数十分贝，妥善处理这些电缆是屏蔽设计中的重要内容之一(穿过屏蔽体的导体的危害有时比孔缝的危害更大)。
SE=20lg[(D/L)+20lg(1+2.3lg(L/H)]
屏蔽电场波时，屏蔽体尽量靠近辐电磁屏蔽射源，屏蔽磁场源时，屏蔽体尽量远离磁场源。
电磁波的波阻抗定义为电场分量与磁场分量的比值：Zw=E/H.在距离辐射源较近(<λ/2π,称为近场区)时,波阻抗的值取决于辐射源的性质、观测点到源的距离、介质特性等.若辐射源为大电流、低电压(辐射源电路的阻抗较低),则产生的电磁波的波阻抗小于377,称为低阻抗波,或磁场波.若辐射源为高电压,小电流(辐射源电路的阻抗较高),则波阻抗大于377,称为高阻抗波或电场波.关于近场区内波阻抗的具体计算公式本文不予论述,以免冲淡主题,感兴趣的读者可以参考有关电磁场方面的参考书.当距离辐射源较远(>λ/2π,称为远场区)时,波波阻抗仅与电场波传播介质有关,其数值等于介质的电磁屏蔽特性阻抗,空气为377Ω。
屏蔽材料的阻抗计算方法为:
从上面几个公式,就可以计算出各种屏蔽材料的屏蔽效能了,为了方便设计,下面给出一些定性的结论：timereleaseVitaminC，首先,需要了解的是电磁屏蔽与屏蔽体接地与否并没有关系.这与静电场的屏蔽不同，在静电中，只要将屏蔽体接地，就能够有效地屏蔽静电场，而电磁屏蔽却与屏蔽体接地与否无关，这是必须明确的。
在近场区设计屏蔽时，要分别考虑电场波和磁场波的情况，式中的R称为屏蔽材料的反射损耗,是当电磁波入射到不同媒质的分界面时发生的，计算公式为:
屏蔽体的有效性用屏蔽效能来度量.屏蔽效能是没有屏蔽时空间某个位置的场强E1与有屏蔽时该位置的场强E2的比值,它表征了屏蔽体对电磁波的衰减程度.用于电磁兼容目的的屏蔽体通常能将电磁波的强度衰减到原来的百分之一至百万分之一,因此通常用分贝来表述屏蔽效能,这时屏蔽效能的定义公式为:
电磁屏蔽的关键点有两个，一个是保证屏蔽体的导电连续性,即整个屏蔽体必须是一个完整的、连续的导电体.另一点是不能有穿过机箱的导体，对于一个实际的机箱，这两点实现起来都非常困难。
若ZC>(7.9/D·f)：式中的A称为屏蔽材料的吸收损耗，是电磁波在屏蔽材料中传播时发生的，计算公式为：
有一种情况需要特别注意，这就是1kHz以下的磁场波.这种磁场波一般由大电流辐射源产生，例如，传输大电流的电力线，大功率的变压器等，对于这种频率很低的磁场，只能采用高导磁率的材料进行屏蔽，常用的材料是含镍80%左右的坡莫合金。
若Zc<(7.9/D·f):
选择屏蔽材料公式：
A=3.34t(fμrσr)(dB)
|ZS|=3.68*10-7(fμr/σr)(Ω)
t=材料的厚度，μr=材料的磁导率，σr=材料的电导率，对于特定的材料，这些都是已知的，f=被屏蔽电磁波的频率。
首先，一个实用的机箱上会有很多孔洞和孔缝：通风口、显示口、安装各种调节杆的开口、不同部分结合的缝隙等.屏蔽设计的主要内容就是如何妥善处理这些孔缝，同时不会影响机箱的其他性能(美观、可维性、可靠性)。
f=入射电磁波的频率(Hz)，μr=相对磁导率，σr=相对电导率
孔洞和缝隙的电磁泄漏与对策
当电磁波入射到一个孔洞时，其作用相当于一个偶极天线，当孔洞的长度达到λ/2时，其辐射效率最高(与孔洞的宽度无关)，也就是说，它可以将激励孔洞的全部能量辐射出去。
答
很多企业在选择屏蔽机房的屏蔽材料时候，常常无所适从，因为也不了解，不知道选什么好，导致花了很多冤枉钱却没有买到屏蔽效能好的材料，屏蔽材料往往决定着一个屏蔽机房的优劣，本文解析怎样做好机房电磁屏蔽，在选择决定使用什么屏蔽材料时，要注意什么问题？
电磁屏蔽是利用导电材料或铁磁材料制成的部件对大容量汽轮发电机定子铁心端部进行屏蔽，以降低由定子绕组端部漏磁在结构件中引起的附加损耗与局部发热的措施，用屏蔽体将元部件、电路、组合件、电缆或整个系统的干扰源包围起来，防止干扰电磁场向外扩散，用屏蔽体将接收电路、设备或系统包围起来，防止它们受到外界电磁场的影响。
常选择有较高的电导率和磁导率的导体作为屏蔽物的材料，因为高导电性材料在电磁波的作用下将产生较大的感应电流。这些电流按照楞次定律将削弱电磁波的透入，采用的金属网孔愈密，直到采用整体的金属壳，屏蔽的效果愈好，但所费材料愈多，高导磁性的材料可以引导磁力线较多地通过这些材料，而减少被屏蔽区域中的磁力线，屏蔽物通常是接地的，以免积累电荷的影响。
电磁波向大块金属透入时将不断衰减，直到衰减为零。衰减的程度随着材料的电导率、磁导率及电磁波频率的增加而加大。屏蔽的要求较高时往往采用多层屏蔽。例如有时采用铸铁、坡莫合金、电解铜3种材料制成多层屏蔽，以满足导电、导磁等要求。
但是实现完全的屏蔽是很难办到的，因为被屏蔽的区域与其余区域之间往往仍需要有电路的连接，引线与引线、引线与外壳之间总存在着绝缘间隙，仍然为电磁波提供通道。即使对于完全封闭的金属壳，在频率极低的外部电磁场作用下，理论上内部的磁通密度并不为零。
电磁场在导电介质中传播时，其场量（E和H）的振幅随距离的增加而按指数规律衰减。从能量的观点看，电磁波在导电介质中传播时有能量损耗，因此，表现为场量振幅的减小。导体表面的场量最大，愈深入导体内部，场量愈小。这种现象也称为趋肤效应。利用趋肤效应可以阻止高频电磁波透入良导体而作成电磁屏蔽装置。它比静电、静磁屏蔽更具有普遍意义。
选择屏蔽材料时要注意下面几个问题
（1）材料的导电性和导磁性越好，屏蔽效能越高，但实际的金属材料不可能兼顾这两个方面，例如铜的导电性很好，但是导磁性很差;铁的导磁性很好，但是导电性较差。应该使用什么材料，根据具体屏蔽主要依赖反射损耗、还是吸收损耗来决定是侧重导电性还是导磁性；
（2）频率较低的时候，吸收损耗很小，反射损耗是屏蔽效能的主要机理，要尽量提高反射损耗；
（3）反射损耗与辐射源的特性有关，对于电场辐射源，反射损耗很大，对于磁场辐射源，反射损耗很小。因此，对于磁场辐射源的屏蔽主要依靠材料的吸收损耗，应该选用磁导率较高的材料做屏蔽材料。
（4）反射损耗与屏蔽体到辐射源的距离有关，对于电场辐射源，距离越近，则反射损耗越大，对于磁场辐射源，距离越近，则反射损耗越小，正确判断辐射源的性质，决定它应该靠近屏蔽体，还是原理屏蔽体，是结构设计的一个重要内容。
（5）频率较高时，吸收损耗是主要的屏蔽机理，这时与辐射源是电场辐射源还是磁场辐射源关系不大。
（6）电场波是最容易屏蔽的，平面波其次，磁场波是最难屏蔽的，尤其是(1KHz以下)低频磁场，很难屏蔽，对于低频磁场，要采用高导磁性材料，甚至采用高导电性材料和高导磁性材料复合起来的材料。
电磁屏蔽计算公式为:
R=20lg(ZW/ZS)(dB)电磁屏蔽
SE=100-20lgL-20lgf+20lg[1+2.3lg(L/H)](dB)
一般除了低频磁场外，大部分金属材料可以提供1电磁屏蔽00dB以上的屏蔽效能，但在实际中，常见的情况是金属做成的屏蔽体，并没有这么高的屏蔽效能，甚至几乎没有屏蔽效能，这是因为许多设计人员没有了解电磁屏蔽的关键。
（1）同一种屏蔽材料，对于不同的电磁波，屏蔽效能使不同的，对电场波的屏蔽效能最高，对磁场波的屏蔽效能最低，也就是说，电场波最容易屏蔽，磁场波最难屏蔽。
（2）屏蔽电场波时，使用导电性好的材料，屏蔽磁场波时，使用导磁性好的材料。
在保护的空间内，当采用屏蔽电缆时其屏蔽层应至少两端并在防雷区交界处做等电位连接，当系统要求只在一端做等电位连接时，应采用双层屏蔽，引入到远动机房的非屏蔽线缆应敷设在金属管道内，实现导电贯通，并连接到共用接地体上，所选用的金属管道最好采用铁管。
若L≥λ/2,SE=0(dB)
1、机房电磁电磁屏蔽的产生与危害
SE=48+20lgZC-20lgL·f+20lg[1+2.3lg(L/H)]
电磁屏蔽是解决电磁兼容问题的重电磁屏蔽要手段之一，大部分电磁兼容问题都可以通过电磁屏蔽来解决，用电磁屏蔽的方法来解决电磁干扰问题的最大好处是不会影响电路的正常工作，因此不需要对电路做任何修改。
式中，Zw=电磁波的波阻抗，Zs=屏蔽材料的特性阻抗。
在机房的四周(静电地板下面)用3X35的紫铜带绕机房四周一圈,并且与接地线紧固连接。
式中:Zc=辐射源电路的阻电磁屏蔽属网格做为屏蔽层,用金属网格罩住窗户。
（3）一般情况下，材料的导电性和导磁性越好，屏蔽效能越高;
根据机房实际情况设计了微孔防尘屏蔽天花板,并采用配套的轻钢龙骨.设计具有质轻、防火、防潮、吸音、防尘等性能,不但可以很好屏蔽电磁的干扰,而且可以配合防眩光灯盘不会产生眩光。
等电位连接与地网电磁屏蔽电磁干扰的绿色安全空间：SE=20lg(E1/E2)(dB)
布设机房等电位汇流排与地网式中各量：L=缝隙的长度(mm)，H=缝隙的宽电磁屏蔽度(mm)，f=入射电磁波的频率(MHz)。
怎样做好机房电磁屏蔽
想做好一个优质的机房电磁屏蔽不是那么简单是，需要精确的计算，根据计算得出的结果去实施，在工程中实用的表征材料屏蔽效能的公式为:SE=A+R(dB)，用这个定义式只电磁屏蔽能测试屏蔽材料的屏蔽效能，而无法确定应该使用什么材料做屏蔽体，要确定使用什么材料制造屏蔽体，需要知道材料的屏蔽效能与材料的什么特性参数有关。
（1）线路屏蔽
对于一个厚度为0材料上的孔洞，在远场区中，最坏情况下(造成最大泄漏的极化方向)的屏蔽效能(实际情况下屏蔽效能可能会更大一些)计算公式为：
（2）天花板墙面的屏蔽处理
计算机在使用过程中能在元器件表面积聚大量的静电电荷.最典型的就是显示器在使用过后用手去触摸显示屏幕就会发生剧烈的静电放电现象，这就是显示器屏幕上的电荷与我们人体上所带异号电荷发生中和时所产生的静电放电现象，至于静电放电的定义，这里就不再叙述,有兴趣的读者可以自行查阅资料，由于静电放电过程是电位、电流随机瞬间变化的电磁辐射，所以，不管是放电能量较小的电晕放电,还是放电能量较大的火花式放电，都可以产生电磁辐射.而我们在前面已经提到计算机本身包含有大量的高电磁灵敏度的电路以及元器件，所以，在使用过程中如果遇到静电放电现象(ESP)，出现的后果是不可预测的。
静电放电现象对计算机的危害可分为硬性损伤和软性损伤，硬性损伤就是指由于ESP过于强烈而导致的如显卡、CPU、内存等电磁灵敏度很高的元器件被击穿，从而无法正常工作甚至彻底电磁屏蔽报废，静电放电所造成的硬性损伤的破坏程度主要取决于静电放电的能量及元器件的静电敏感度，也和危害源与敏感器件之间的能量耦合方式，相互位置有关，软性损伤则是指由于静电放电时产生的电磁干扰(其电磁脉冲频谱可达Mhz~Ghz)造成的存储器内部存储错误、比特数位移位，从而产生如死机、非法操作、文件丢失、硬盘坏道产生等隐性错误，相对于硬性损伤,它更难被发现。
其次，机箱上总是会有电缆穿电磁屏蔽出(入)，至少会有一条电源电缆，这些电缆会极大地危害屏蔽体，使屏蔽体的屏蔽效能降低数十分贝，妥善处理这些电缆是屏蔽设计中的重要内容之一(穿过屏蔽体的导体的危害有时比孔缝的危害更大)。
SE=20lg[(D/L)+20lg(1+2.3lg(L/H)]
屏蔽电场波时，屏蔽体尽量靠近辐电磁屏蔽射源，屏蔽磁场源时，屏蔽体尽量远离磁场源。
电磁波的波阻抗定义为电场分量与磁场分量的比值：Zw=E/H.在距离辐射源较近(<λ/2π,称为近场区)时,波阻抗的值取决于辐射源的性质、观测点到源的距离、介质特性等.若辐射源为大电流、低电压(辐射源电路的阻抗较低),则产生的电磁波的波阻抗小于377,称为低阻抗波,或磁场波.若辐射源为高电压,小电流(辐射源电路的阻抗较高),则波阻抗大于377,称为高阻抗波或电场波.关于近场区内波阻抗的具体计算公式本文不予论述,以免冲淡主题,感兴趣的读者可以参考有关电磁场方面的参考书.当距离辐射源较远(>λ/2π,称为远场区)时,波波阻抗仅与电场波传播介质有关,其数值等于介质的电磁屏蔽特性阻抗,空气为377Ω。
屏蔽材料的阻抗计算方法为:
从上面几个公式,就可以计算出各种屏蔽材料的屏蔽效能了,为了方便设计,下面给出一些定性的结论：timereleaseVitaminC，首先,需要了解的是电磁屏蔽与屏蔽体接地与否并没有关系.这与静电场的屏蔽不同，在静电中，只要将屏蔽体接地，就能够有效地屏蔽静电场，而电磁屏蔽却与屏蔽体接地与否无关，这是必须明确的。
在近场区设计屏蔽时，要分别考虑电场波和磁场波的情况，式中的R称为屏蔽材料的反射损耗,是当电磁波入射到不同媒质的分界面时发生的，计算公式为:
屏蔽体的有效性用屏蔽效能来度量.屏蔽效能是没有屏蔽时空间某个位置的场强E1与有屏蔽时该位置的场强E2的比值,它表征了屏蔽体对电磁波的衰减程度.用于电磁兼容目的的屏蔽体通常能将电磁波的强度衰减到原来的百分之一至百万分之一,因此通常用分贝来表述屏蔽效能,这时屏蔽效能的定义公式为:
电磁屏蔽的关键点有两个，一个是保证屏蔽体的导电连续性,即整个屏蔽体必须是一个完整的、连续的导电体.另一点是不能有穿过机箱的导体，对于一个实际的机箱，这两点实现起来都非常困难。
若ZC>(7.9/D·f)：式中的A称为屏蔽材料的吸收损耗，是电磁波在屏蔽材料中传播时发生的，计算公式为：
有一种情况需要特别注意，这就是1kHz以下的磁场波.这种磁场波一般由大电流辐射源产生，例如，传输大电流的电力线，大功率的变压器等，对于这种频率很低的磁场，只能采用高导磁率的材料进行屏蔽，常用的材料是含镍80%左右的坡莫合金。
若Zc<(7.9/D·f):
选择屏蔽材料公式：
A=3.34t(fμrσr)(dB)
|ZS|=3.68*10-7(fμr/σr)(Ω)
t=材料的厚度，μr=材料的磁导率，σr=材料的电导率，对于特定的材料，这些都是已知的，f=被屏蔽电磁波的频率。
首先，一个实用的机箱上会有很多孔洞和孔缝：通风口、显示口、安装各种调节杆的开口、不同部分结合的缝隙等.屏蔽设计的主要内容就是如何妥善处理这些孔缝，同时不会影响机箱的其他性能(美观、可维性、可靠性)。
f=入射电磁波的频率(Hz)，μr=相对磁导率，σr=相对电导率
孔洞和缝隙的电磁泄漏与对策
当电磁波入射到一个孔洞时，其作用相当于一个偶极天线，当孔洞的长度达到λ/2时，其辐射效率最高(与孔洞的宽度无关)，也就是说，它可以将激励孔洞的全部能量辐射出去。